Low temp SiO2 및 SiO 증착용 Materials

Nand 플래시 메모리 공정의 미세화로 인하여, 20nm 이하부터 Floating Gate에서 Charge Trap으로 변경되어 10nm 이하 Nand 플래시 메모리 제조를 위해서는 3D 구조의 도입이 요구 되고 있습니다. 이 3D 적층 구조는 Hole 의 종횡비가 매우 크기 때문에 ALD 장비를 활용한 정밀한 두께 조절이 필요하여 고품질 Blocking Oxide 또는 Tunneling Oxide 재료로 저온 공정용 SiO2, SiN이 필요하게 되며 해당 산화막 (SiO2) 및 질화막 (SiN) 을 형성하는데 사용되는 전구체가 HCDS (Hexachlorodisilane) 입니다. 해당 제품은 반도체 공정 미세화에 따라 수요가 꾸준히 증가하고 있습니다.

HCDS

반도체 DRAM과 Nand Flash 메모리 생산 공정에 절연막으로 사용되는 물질