Precursor

반도체 소자용 박막,증착(CVD/ALD)용 재료로서, 전구체(Precursor)는 반도체 소자의 초 미세화, 고 집적화에 따라 수반되는 필수 소재로 반도체 소자 제조 시 절연막/금속 배선 등으로 쓰인다.

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  HCDS - 반도체 DRAM과 Nand Flash 메모리 생산 공정에 절연막으로 사용되는 물질
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  TiCl4 - 반도체 메모리 소자의 전자를 보관하는 축전지(Capacitor) 전극물질(Electrode Material)
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  BDEAS - 반도체 Dram의 30nm이하의 미세 패턴(Patten)을 구현하기 위한 소재
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  BTBAS - 반도체 3D Nand Flash 메모리에 Tox 박막으로 사용되는 소재
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  DIPAS - 반도체 Dram의 30nm 이하의 미세 패턴(Patten)을 구현하기 위한 증착용 소재이며
  3D Nand Flash 메모리에 Tox 박막으로 사용되는 소재
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  CpZr(NMe2)3 - 차세대 반도체 소자 미세화를 구현하기 위한 Capacitor용 ZrO2 High K 소재
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  TMA - 반도체 소자의 Capacitor용 AlO2 High K 소재
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  TEMAHf - 반도체 소자의 Capacitor용 및 Metal gate용 HfO2 High K 소재

Special Gas

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  Si2H6 - 디실란 혹은 다이실란으로 불리우며, 특수가수의 일종으로 반도체 제조 공정중 Diffusion(확산) 및 CVD 공정에 사용되는 가스
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  CF4 - 반도체 제조 공정에서 Polymer 제고를 위해서 Plasma Etch를 하기 위해 사용되는 가스
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  HBr - 반도체 제조 공정 중 Plasma Etch 공정 중에 사용되는 가스
  (Poly Si 박막을 etching하는 가스로 사용)
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  GeH4 - 반도체, LCD 및 박막형 태양전지의 실리콘게르마늄(SiGe)막 형성용 가스